IGBT (Insulated Gate Bipolar transistor), transistor bipolare a gate isolata, è un dispositivo a semiconduttore di potenza composito a tensione controllata composto da BJT (transistor bipolare) e MOS (transistor a effetto di campo con gate isolata), e MOSFET i vantaggi di un'elevata impedenza di ingresso e di una bassa caduta di tensione di ON di GTR. La tensione di saturazione di GTR è ridotta, la densità di conduzione della corrente è elevata, ma la corrente di pilotaggio è grande; la potenza di pilotaggio del MOSFET è piccola, la velocità di commutazione è veloce, ma la caduta di tensione di conduzione è grande e la densità di conduzione della corrente è piccola. IGBT combina i vantaggi dei due dispositivi sopra citati, con una bassa potenza di pilotaggio e una ridotta tensione di saturazione. Gli IGBT sono molto adatti per applicazioni quali motori c.a., inverter, alimentatori switching, circuiti di illuminazione, azionamenti di trazione e altri campi con tensioni c.c. di 600 V e superiori.
1. Schema dei pin:
2. Proprietà elettriche:
3. Proprietà termiche:
4. Proprietà meccaniche:
perché scegliere noi :
vantaggio:
Gamma di produzione
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Campo di applicazione
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