Transistor bipolare a gate isolato IGBT G40n120d to-247

Model No.
G40N120D
Numero di lotto
2023
Marca
Wxdh
Pacchetto di Trasporto
Tube
Marchio
WXDH
Origine
Wuxi, China
Codice SA
8541290000
Prezzo di riferimento
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Descrizione del Prodotto

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G40n120d to-247
PARAMETRO SIMBOLO VALUTAZIONE UNITÀ
 
Tensione collettore-emettitore VCES 1200 V
Tensione gate-emettitore VGES ±20 V
Corrente di collettore IC (T=25ºC) 80 R
Corrente di collettore   (TC=100ºC) 40 R
Corrente di collettore a impulsi ICM 160 R
Corrente continua in avanti del diodo SE   @TC = 100 °C. 20 R
Corrente massima in avanti del diodo IFM 60 R
Dissipazione totale TC =25ºC PD 278 W
TC =100ºC PD 150 W
Temperatura di giunzione TJ 150 ºC
Temperatura di conservazione Tstg -55~150 ºC
 
Caratteristiche
Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo
Bassa tensione di saturazione: VCE (sat) , tip. = 1,9 V.
@ IC =40A E VGE =15V
Applicazioni
Saldatrice a inverter
Convertitore di frequenza generale
UPS
Comando del motore
 
Specifiche del prodotto e modelli di imballaggio
Modello del prodotto Tipo di pacchetto Nome contrassegno RoHS Pacchetto Quantità
G40N120D TO-247 G40N120D Senza piombo Tubo 300/confezione
 

 

Semiconduttore

PNEUTEC.IT, 2023