Nuovo MOSFET a semiconduttore discreto IC originale N-CH 40 V 200 A. 5hsofia200n04s5n010auma1

Model No.
IAUA200N04S5N010AUMA1
Pacchetto di Trasporto
Standard Package
Specifiche
0.012997 oz
Marchio
Infineon Technologies
Origine
Original
Codice SA
8542900000
Capacità di Produzione
100000PCS/Day
Prezzo di riferimento
$ 0.09 - 0.18
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Descrizione del Prodotto



Nuovo MOSFET a semiconduttore discreto IC originale N-CH 40 V 200 A. 5HSOF IAUA200N04S5N010AUMA1


 
N. modello IAUA200N04S5N010AUMA1
Marchio Tecnologie Infineon
Categoria prodotto MOSFET
D/C. Più recente
Origine Originale
Condizione Nuovo e originale
Descrizione Microcontrollori
Specifiche Standard
Imballaggio Vassoio, bobina, schiuma, scatola
Tempo di consegna 1-5 giorni lavorativi
Termine di pagamento TT/Paypal/Western Union/Escrow
Metodo di spedizione DHL/UPS/FEDEX/EMS/TNT




Attributi del prodotto
 
Categoria prodotto MOSFET Tecnologia Si
Confezione / contenitore HSOF-5 Tipo di montaggio SMD/SMT
Polarità del transistor Canale N. Numero di canali 1 canale
VDS - tensione di breakdown drain-source 40 V. ID - corrente di scarico continua 200 A.
RDS ON - resistenza drain-source 900 uOhm VGS - tensione gate-source - 20 V, + 20 V.
VGS Th - tensione soglia gate-source 2.8 V. QG - carica gate 99 NC
Temperatura di esercizio minima - 55 C. Temperatura di esercizio massima + 175 C
PD - dissipazione di potenza 167 W Modalità canale Miglioramento
Tempo di caduta 12 ns Tempo di ritardo all'accensione tipico 11 ns
Tempo di salita 12 ns Tempo tipico di ritardo di spegnimento 23 ns  
Tipo di prodotto MOSFET Sottocategoria MOSFET
Tipo di transistor 1 canale N.    

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Profilo aziendale

 
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Principali distributori di componenti elettronici
 
 
Team di vendita professionale
 
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Team prodotti professionali




Certificazioni

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Marchi cooperativi

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Imballaggio e spedizione

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FQA






 

 

 

Circuito integrato

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