8A 650 V de diodes Schottky Sic SDD065J008S3

N° de Modèle.
SDS065J008S3
Numéro de lot
2023
Marque
Wxdh
actuel
8 a.
tension
650 v.
Paquet de Transport
Reel
Marque Déposée
WXDH
Origine
Wuxi, China
Code SH
8541100000
Capacité de Production
500000000 Pieces/Year
Prix de référence
$ 0.01 - 13.50
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Description de Produit

8A 650 V Sic Schottky Barrier Diode SDS065j008s3 8A 650 V Sic Schottky Barrier Diode SDS065j008s3 8A 650 V Sic Schottky Barrier Diode SDS065j008s3 8A 650 V Sic Schottky Barrier Diode SDS065j008s3
 8A 650V SchottkyBarrierDiode SIC
1 La description
Famille de produits de la série de SIC offre des performances de pointe. Il est conçu pour une haute
La fréquence des applications où une grande efficacité et une fiabilité élevée sont requis.

 
Fonctionnalités
Faible perte de puissance
Zéro actuel de récupération de marche arrière
La récupération aval de la tension zéro
Coefficient de Température Positif sur VF
Température de jonction d'exploitation 175ºC
Les applications
Alimentations en mode de commutation
Correction du facteur de puissance
Entraînement de moteur, PV, wind power station de l'onduleur
 
Le paramètre Symbole Valeur Unité
 
Pic de tension inverse répétitif VRRM 650 V
Tension de crête de travail arrière VRWM 650 V
DC Tension de blocage VR 650 V
La moyenne corrigée courant de marche avant D-220(Tc=25ºC)
  		Si (AV) 29 Un
D-220(Tc=150ºC) 14 Un
D'-220F(Tc=130ºC) 8 Un
Courant de surtension de marche avant de crête répétitive (t=10ms)T IFRM 39 Un
Courant de surtension de crête Nonrepetitive   T=10ms IFSM 65 Un
La dissipation de puissance Ptot 125 W
Plage de température de jonction d'exploitation Tj -55~175 ºC
Plage de température de stockage Tstg -55~175 ºC
 
Spécifications du produit et modèles d'emballage
Modèle de produit Type de paquet Nom de marque
La SDD065J0083 Gpnd 8*-4L La SDD065J0083
 

 

Semi-Conducteur

ELASTYC.RS, 2023