PC Power PFC Interleaved Boost Osg65r099hszaf TO247 Vds 650V RDS99mΩ MOSFET regolatore ad alta tensione con diodo a recupero rapido

Model No.
OSG65R099HSZAF TO247
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
35x30x37cm
Marchio
Orientalsemiconductor
Origine
China
Codice SA
854129000
Capacità di Produzione
20kkkk/Monthly
Prezzo di riferimento
$ 0.16 - 0.18
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Descrizione del Prodotto

Descrizione generale
Il MOSFET ad alta tensione GreenMOS® utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per ottenere una resistenza all'accensione eccezionale e una carica di gate ridotta. È progettato per ridurre al minimo le perdite di conduzione, fornire prestazioni di commutazione superiori e una robusta capacità a valanga.
La serie Z GreenMOS® è integrata con il diodo a recupero rapido (FRD) per ridurre al minimo il tempo di recupero inverso. È adatto per topologie di commutazione risonanti per raggiungere una maggiore efficienza, una maggiore affidabilità e un fattore di forma più piccolo.

Caratteristiche                                                                                                    
  • RDS( ON) e FOM bassi
  • Perdita di commutazione estremamente bassa
  • Stabilità e uniformità eccellenti
  • Diodo corpo ultra-veloce e robusto
  • Certificazione AEC-Q101 per applicazioni automobilistiche

Applicazioni
  • Alimentazione PC
  • Potenza per le telecomunicazioni
  • Alimentazione del server
  • Caricabatteria EV
  • Driver motore

Parametri chiave delle prestazioni

 
Parametro Valore Unità
VDS 650 V
ID , polso 96 R
RDS (ON), MAX @ VGS =10V 99 MΩ
QG 66.6 NC

Informazioni di contrassegno

 
Nome prodotto Pacchetto Marcatura
OSG65R099HSZAF TO247 OSG65R099HSZA


Il test HTRB è stato eseguito a 600 V più rigorosamente rispetto al test AEC-Q101 rev.C (80% V (BR)DSS ). Tutti gli altri test sono stati eseguiti secondo la norma AEC Q101 rev. E.
 
Valori nominali massimi assoluti a Tj =25°C, salvo diversa indicazione
 
Parametro Simbolo Valore Unità
Tensione drain-source VDS 650 V
Tensione gate-source VGS ±30 V
Corrente di scarico continuo 1 ) , TC =25 °C.
ID 		32
R
Corrente di scarico continuo 1 ) , TC =100 °C. 20
Corrente di scarico pulsata2 ) , TC =25 °C. ID , polso 96 R
Corrente continua di diodo in avanti 1 ) , TC =25 °C. È 32 R
Diodo a impulsi current2 ) , TC =25 °C. È , impulso 96 R
  Dissidenza di potente3 )   , TC =25   °C. PD 278 W
Energia a valanghe pulsata5 ) EAS 648 MJ
Resistenza dv/dt MOSFET, VDS =0…480 V. dv/dt 50 V/ns
Diodo retromarcia dv/dt, VDS =0…480 V, ISD ≤ID dv/dt 50 V/ns
Temperatura di funzionamento e di stoccaggio Tstg , Tj da -55 a 150 °C

Caratteristiche termiche
 
Parametro Simbolo Valore Unità
Resistenza termica , scatola di giunzione RθJC 0.45 °C/W
Resistenza termica , ambiente di giunzione 4 ) RθJA 62 °C/W

Caratteristiche elettriche a Tj =25°C, salvo diversamente specificato
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tensione di scarica-sorgente di scarica BVDSS 650     V VGS =0 V, ID =1 MA
Tensione di soglia gate VGS (th) 3.0   4.5 V VDS =VGS , ID =1 MA

Resistenza di stato di attivazione drain-source
RDS (ON) 		  0.090 0.099
Ω 		VGS =10 V, ID =16 A.
  0.21   VGS =10 V, ID =16 A, TJ =150 °C.
Corrente di dispersione gate-source
IGS 		    100
Na 		VGS =30 V.
    -100 VGS =-30 V.
Corrente di dispersione drain-source IDS     10 μA VDS =650 V, VGS =0 V.
Resistenza del gate RG   7.8   Ω ƒ=1 MHz, open drain

Caratteristiche dinamiche
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Capacità di ingresso CISS   3988   PF
VGS =0 V, VDS =50 V,
ƒ=100 kHz
Capacità di uscita COSS   210   PF
Capacità di trasferimento inversa CRS   7.4   PF
Capacità di uscita effettiva, relativa all'energia Co (er)   124   PF
VGS =0 V, VDS =0 V-400 V.
Capacità di uscita effettiva, relativa al tempo Co (tr)   585   PF
Tempo di ritardo di attivazione td (on)   46.0   n/s
VGS =10 V, VDS =400 V, RG =2 Ω, ID =20 A.
Tempo di salita tr   60.3   n/s
Ritardo di disattivazione td (off)   93.0   n/s
Tempo di caduta tf   3.7   n/s

Caratteristiche di carica del gate
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Costo totale gate QG   66.6   NC

VGS =10 V, VDS =400 V, ID =20 A.
Carica gate-source DGS   20.6   NC
Carica gate-drain QGD   24.8   NC
Tensione plateau gate Vplateau   6.7   V

Caratteristiche del diodo corpo
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tensione di avanzamento diodo VSD     1.3 V IS =32 A, VGS =0 V.
Tempo di recupero inverso trr   151.7   n/s
IS =20 A,
Di/dt=100 A/μs
Carica di recupero inversa Qr   1.0   μC
Corrente di recupero inversa di picco Irrm   12.3   R

Nota
  1. Corrente continua calcolata in base alla temperatura di giunzione massima consentita.
  2. Valore nominale ripetitivo; larghezza impulso limitata dalla temperatura massima di giunzione.
  3. PD si basa sulla temperatura di giunzione massima, utilizzando la resistenza termica del contenitore di giunzione.
  4. VDD =100 V, VGS =10 V, L=80 MH, Tj iniziale =25 °C.
 

 


 
 





 

 

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