| طراز المنتج | MGs-H-S-2-C20 |
| رقم المنتج | MGs-H06 |
| مادة المبيت | علبة من الألومنيوم |
| فولطية الإمداد |
+24 فولت تيار مستمر ±5%، تموج (p-p) 1% كحد أقصى |
| استهلاك الطاقة | 35 مللي أمبير كحد أقصى (عند التيار المستمر+24 فولت) |
| 70 مللي أمبير كحد أقصى (عند التيار المستمر+12 فولت) | |
| 75 مللي أمبير كحد أقصى (تيار مباشر+5 فولت) | |
| إخراج من النوع الرقمي |
مجمع ترانزستور مفتوح NPN
مفتوح عادة الحد الأقصى للجهد الكهربي القابل للتطبيق 30 فولت تيار البالوعة 100 مللي أمبير كحد أقصى |
| درجة حرارة التشغيل | من -10 درجة مئوية إلى +50 درجة مئوية (دون تجميد) |
| رطوبة التشغيل | 35 إلى 95% رطوبة نسبية (بدون تكثف) |
| منع الفئة | IP65 |
| درجة حرارة التخزين | من -30 إلى +80 درجة مئوية |
| رطوبة التخزين | من 35% إلى 95% من الرطوبة النسبية (بدون تكثيف) |
| الهدف | شريط دليل مغناطيسي من السلسلة Mgt-50 -25 |
| تشغيل فجوة الهواء | 30 إلى 40 مم (ميجا بت-50-25) |
| الحساسية | N-pole؛6 mT و أعلى/S-pole؛ 6 mT وأكثر |
| العنصر | 6 بت |
| درجة الميل | 10 مم على فترات متساوية |
| المنطق | مفتوح عادة |
| الدائرة | وحدة تجميع العينات المفتوحة NPN (DC30 فولت، 50 مللي أمبير كحد أقصى) |
| الجهد المتبقي | 2 فولت بحد أقصى (عند 50 مللي أمبير) |
| الاستجابة | 1 مللي ثانية |
| مقاومة العزل | 50 أوم |
| الموصل | MIL-C-83503، 20Pin |
| منع الدائرة | الجهد الزائد والدائرة القصيرة والحماية من القطبية العكسية |
| التثبيت | يكون كل من خط المحور المركزي للشريط المغناطيسي والمستشعر تتزامن |
| الجهاز | أتم |