W9825G6KH-6: DRAM chip SDRAM 256M-bit 16Mx16 3,3 V TSOP-II a 54 pin
Pacchetto: TSOP(II)-54
MFR. Codice: W9825G6KH-6
MFR.: WINBOND
Scheda tecnica:
(E-mail o chat per file PDF)
Stato ROHS:
Qualità: 100% originale
Garanzia: 180 giorni
W9825G6KH è una memoria SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) ad alta velocità, organizzata in 4 M parole x 4 banchi x 16 bit. W9825G6KH offre una larghezza di banda dati fino A 200 M di parole al secondo. Per garantire la piena conformità allo standard industriale per personal computer, il modello W9825G6KH è suddiviso nei seguenti gradi di velocità: -5, -5I, -6, -6I, -6L -75 e 75L. Le parti di grado -5/-5I sono conformi alla specifica 200 MHz/CL3 (grado industriale -5I che è garantito per il supporto - 40°C ≤ TA ≤ 85°C). Le parti di grado -6/-6I/-6L sono conformi alla specifica 166MHz/CL3 (grado industriale -6I che è garantito per il supporto - 40°C ≤ TA ≤ 85°C). Il modello -75/75L è conforme alla specifica 133 MHz/CL3. Le parti -6L e 75L supportano l'aggiornamento automatico della corrente IDD6 Max. 1.5 ma.
Gli accessi alla SDRAM sono orientati in sequenza. La locazione di memoria consecutiva è una pagina accessibile ad una lunghezza burst di 1, 2, 4, 8 o pagina intera quando un banco e una riga sono selezionati da un comando ATTIVO. Gli indirizzi di colonna vengono generati automaticamente dal contatore interno SDRAM in modalità burst. La lettura casuale di colonne è anche possibile fornendo il suo indirizzo ad ogni ciclo di clock. La natura di banche multiple consente l'interleaving tra banche interne per nascondere il tempo di pre-ricarica.
Linea di prodotti aziendali
Certificati
Perché scegliere noi
Avviso: