Chip DRAM SDRAM da 256 Mbit W9825G6KH-6I

Descrizione

W9825G6KH-6I :   Memoria SDRAM IC 256 Mbit parallela 166 MHz 5 ns 54-TSOP II

MFR. Codice: W9825G6KH-6I

MFR.: WINBOND

Scheda tecnica:   (E-mail o chat per file PDF)

Stato ROHS:  

Qualità: 100% originale

Garanzia: UN ANNO


 

W9825G6KH è una SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) ad alta velocità, organizzata in 4M parole x 4 banchi x 16 bit. W9825G6KH offre una larghezza di banda dati fino A 200 M di parole al secondo. Per essere pienamente conforme allo standard industriale per personal computer, W9825G6KH è suddiviso nei seguenti gradi di velocità: -5, -5I, -6, -6I, -6J, -6L, -75, 75J E 75L. Le parti di grado -5/-5I sono conformi alla specifica 200MHz/CL3 (grado industriale -5I che è garantito per supportare -40°C ≤ TA ≤ 85°C). Le parti di grado -6/-6I/-6J/-6L sono conformi alla specifica 166MHz/CL3 (grado industriale -6I che è garantito per supportare -40°C ≤ TA ≤ 85°C, il grado industriale Plus -6J che è garantito per supportare -40°C ≤ TA ≤ 105°C). I componenti di grado -75/75J/75L sono conformi alla specifica 133 MHz/CL3 (il grado industriale 75J Plus che è garantito per supportare -40°C ≤ TA ≤ 105°C). Le parti di grado -6L e 75L supportano la corrente di aggiornamento automatica IDD6 max 1.5 ma. Gli accessi alla SDRAM sono orientati in sequenza. È possibile accedere alla locazione di memoria consecutiva in una pagina ad una lunghezza burst di 1, 2, 4, 8 o pagina intera quando un banco e una riga sono selezionati da un comando ATTIVO. Gli indirizzi di colonna vengono generati automaticamente dal contatore interno SDRAM in modalità burst. La lettura casuale di colonne è anche possibile fornendo il suo indirizzo ad ogni ciclo di clock. La natura di banche multiple consente l'interleaving tra banche interne per nascondere il tempo di precarica. Grazie a un registro di modalità programmabile, il sistema può modificare la lunghezza del burst, il ciclo di latenza, l'interleave o il burst sequenziale per massimizzare le prestazioni. W9825G6KH è ideale per la memoria principale in applicazioni ad alte prestazioni.

 

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