SDRAM IC 64 MBIT W9864G6KH-6

Descrizione

W9864G6KH-6: DRAM chip SDRAM 64M-bit 4Mx16 3,3 V TSOP-II a 54 pin

Pacchetto: TSOP(II)-54

MFR. Codice: W9864G6KH-6

MFR.: WINBOND

Scheda tecnica:   (E-mail o chat per file PDF)

Stato ROHS:  

Qualità: 100% originale

Garanzia: 180 giorni
 

W9864G6KH è una memoria SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) ad alta velocità, organizzata come 1 M parole x 4 banchi x 16 bit. W9864G6KH offre una larghezza di banda dati fino A 200 M di parole al secondo. Per diverse applicazioni, W9864G6KH è ordinato nei seguenti gradi di velocità: -5, -6, -6I e -7. Le 5 parti possono funzionare fino a 200 MHz/CL3. I componenti -6 e -6I possono funzionare fino a 166 MHz/CL3 (il grado industriale -6I che è garantito per supportare da -40°C a 85°C) i componenti -7 possono funzionare fino a 143 MHz/CL3 e con TRP = 18 nS.

Gli accessi alla SDRAM sono orientati in sequenza. È possibile accedere alla locazione di memoria consecutiva in una pagina ad una lunghezza burst di 1, 2, 4, 8 o pagina intera quando un banco e una riga sono selezionati da un comando ATTIVO. Gli indirizzi di colonna vengono generati automaticamente dal contatore interno SDRAM in modalità burst. La lettura casuale di colonne è anche possibile fornendo il suo indirizzo ad ogni ciclo di clock.

Caratteristiche principali

• 3,3 V ± 0,3 V per alimentatori con velocità di -5, -6 e -6I
• Da 2,7 V a 3,6 V per alimentazione a 7 velocità
• 1, 048, 576 parole x 4 banchi x organizzazione a 16 bit
• Corrente di aggiornamento automatico: Standard e a bassa potenza
• Latenza CAS: 2 e 3
• Lunghezza burst: 1, 2, 4, 8 e pagina intera
• Sequenza e sequenza di interleave
• Dati in byte controllati da LDQM, UDQM
• Precarica automatica e precarica controllata
• Lettura burst, operazione di scrittura singola
• Cicli di aggiornamento 4K/64 mS
• Interfaccia: LVTTL
• Confezionato in TSOP II a 54 pin da 400 mil senza piombo Materiali con reclamo RoHS

Linea di prodotti aziendali

 

Certificati



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