6A2, R-6 200V/6Un diodo rectificador de propósito general

No. de Modelo.
6A2
Modelo
6A2
Número De Lote
2023+
Marca
Mic
Paquete de Transporte
Paper Carton
Especificación
R-6
Origen
China
Capacidad de Producción
500000000
Precio de referencia
$ 17.10 - 19.80

Descripción de Producto

descripción de producto

Los diodos adoptar el diseño de alta fiabilidad    y la estructura de mesa múltiple
 El tubo de silicona, moldeado en pequeño volumen y  embalaje compacto, superficie   resina epoxi.
descripción de producto  
Características:
Una rápida recuperación
Bajo  la presión de avance, de baja  corriente de fuga.
La protección de la avalancha desglose
Antiimpacting de descarga de     corriente transitoria de alta tensión de la CRT
  Diodo de derivación axial, podría soldar el tubo polo
  Moldeado de resina epoxi y pueden resistir la corrosión en su superficie
Aplicación:
Adaptador de cargador
Adaptador de alimentación
La televisión y la FBT displayA

  Generador de iones catódicos,   suministro de energía láser
 Luz de neón fuente de alimentación, el   conjunto multiplicador de voltaje
   Generador de alta tensión DC general

Componentes electrónicos

Diodo Rectificador de plástico de propósito general

Referencia: 6A05~6A10

Los principales parámetros: 6A/1000V

Tipo VRRM Si IR(25 ºC ) IR(125 °C ) VF Presentacion
V Un ΜA UA V
6A05(G) 50 6.0 10.0 150 1.1.   R-6
6A1(G) 100 6.0 10.0 150 1.1.
6A2(G) 200 6.0 10.0 150 1.1.
6A4(G) 400 6.0 10.0 150 1.1.
6A6(G) 600 6.0 10.0 150 1.1.  
6A8(G) 800 6.0 10.0 150 1.1.  
6A10(G) 1000 6.0 10.0 150 1.1.  


Marca:   Mic

El paquete:  R-6 el  plástico
Fabricante:   Chaozhou Haixinwei ectronics Co., Ltd.

Características:

· De silicio metal cruce, la mayoría de la conducción de portadora

· Anillo protector para la protección contra sobretensiones

· Baja pérdida de potencia, alta effciency

· Alta capacidad de sobretensión, baja caída de tensión de forward
· Esquema de montaje en superficie


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6A2 R-6 200V/6A General Purpose Rectifier Diode 6A2 R-6 200V/6A General Purpose Rectifier Diode

 

Semiconductor

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