(Componentes electrónicos) modo de mejora del canal P Transistor de efecto de campo Aod4185

No. de Modelo.
AOD4185
disipación de potencia (máxima)
2,5w(ta),62,5w(tc)
temperatura de funcionamiento
-55 ~175°c
vgs (máximo)
±20v
país del original
china
número de modelo
Aod4185
año de fabricación
2023
capacidad de suministro
1000000 piezas por mes
Paquete de Transporte
Carton Box
Especificación
22x17
Marca Comercial
EDT
Origen
Zhejiang
Código del HS
8529905000
Capacidad de Producción
1000000
Precio de referencia
$ 72.90 - 75.60
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Descripción de Producto

Descripción general
Detalles de la rápida
Número de modelo:       AOD4185

Tipo:                circuito integrado

Lugar de origen:       Guangdong, China

Nombre de marca:         NSGD

Aplicaciones:         Aplicaciones industriales
La capacidad de suministro
1000000 de la capacidad de suministro de piezas/piezas al mes

 
Embalaje y Entrega
plazo de entrega:
La cantidad(piezas) 1   -   1000 >1000
Est. El tiempo (días) 7 Se negociará
(Electronic Components) P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Aod4185


(Electronic Components) P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Aod4185


(Electronic Components) P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Aod4185
(Electronic Components) P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Aod4185

 

Circuito Integrado

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