TIPO
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DESCRIPCIÓN
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Categoría
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Productos de semiconductores discretos
Transistores
FETs, MOSFET
FET, matrices MOSFET
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MFR
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en semiso
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Serie
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PowerTrench®
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Paquete
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Cinta y carrete (TR)
Cinta de corte (CT)
Digi-Reel®
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Estado del producto
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Activo
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Tecnología
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MOSFET (óxido metálico)
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Configuración
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2 Canal P (doble)
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Función FET
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Puerta de nivel lógico
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Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
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30V
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Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
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6,9A
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RDS activado (máx.) @ ID, VGS
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22mOhm @ 6,9A, 10V
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VGS(TH) (Máx.) @ ID
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3V a 250µA
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Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
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40nC @ 10V
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Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
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1360pF @ 15V
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Potencia - Máx
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900MW
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje superficial
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Paquete / caja
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8-SOIC (0,154", 3,90mm ancho)
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Paquete de dispositivo de proveedor
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8-SOIC
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Número de producto base
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FDS49
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