STD35P6LLF6 componenti elettronici chip IC circuito integrato originale TO-252
N. di parte | STD35P6LF6 |
Codice data | Più recente |
Produttore | STMicroelectronics |
Condizione | Nuovo e originale |
Luogo di origine | Originale |
Specifiche | Standard |
Imballaggio | Vassoio, bobina, schiuma, tubo, scatola |
Tempo di consegna | 1-5 giorni lavorativi |
Termine di pagamento | TT/Paypal/Western Union/Escrow |
Metodo di spedizione | DHL/UPS/FEDEX/EMS/TNT |
Attributi del prodotto Categoria prodotto | MOSFET | Quantità confezione originale | 3000 |
Confezione / contenitore | TO-252-3 | Tipo di montaggio | SMD/SMT |
Polarità del transistor | Canale P. | Numero di canali | 1 canale |
VDS - tensione di breakdown drain-source | 60 V. | ID - corrente di scarico continua | 35 A. |
RDS ON - resistenza drain-source | 28 mOhm | VGS - tensione gate-source | - 20 V, + 20 V. |
VGS Th - tensione soglia gate-source | 1 V. | QG - carica gate | 30 NC |
Temperatura di esercizio minima | - 55 C. | Temperatura di esercizio massima | + 175 C |
PD - dissipazione di potenza | 70 W | Modalità canale | Miglioramento |
Nome commerciale | STripFET | Serie | STD35P6LF6 |
Imballaggio | Aspo | Imballaggio | Tagliare il nastro |
Marchio | STMicroelectronics | Tipo di prodotto | MOSFET |
Tempo di caduta | 21 ns | Tempo di salita | 39 ns |
Tempo tipico di ritardo di spegnimento | 171 ns | Tempo di ritardo all'accensione tipico | 51.4 ns |
Sottocategoria | MOSFET | Tipo di transistor | 1 MOSFET di potenza a canale P. |

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