Qualifié hszaf OSG65R099à247 650V VDS RDS99mΩ Mosfet de Diode de récupération rapide

N° de Modèle.
OSG65R099HSZAF TO247
Paquet de Transport
Air
Marque Déposée
Orientalsemiconductor
Origine
China
Code SH
854129000
Capacité de Production
20kkkk/Monthly
Prix de référence
$ 1.62 - 1.80
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Description de Produit

Description générale
Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie de l'équilibre de charge pour obtenir d'excellents faible résistance et de charge inférieur de porte. Elle est conçue pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieure et une solide capacité d'avalanche.
La série Z GreenMOS® est intégré à la récupération rapide de la diode (DRA) afin de minimiser le temps de récupération de marche arrière. Il est approprié pour les topologies de commutation de résonance pour atteindre une plus grande efficacité, une fiabilité accrue et plus petit facteur de forme.

Fonctionnalités                                                                                                    
  • Faible RDS (on) & FOM
  • Extrêmement faibles pertes de commutation
  • Excellente stabilité et de l'homogénéité
  • Ultra-rapide et robuste de la diode du corps
  • AEC-Q101 qualifié pour l' application de l'automobile

Les applications
  • Alim PC
  • Telecom power
  • Alimentation du serveur
  • Chargeur de EV
  • Excitateur de moteur

Les paramètres de performance clés

 
Le paramètre Valeur Unité
VDS 650 V
ID , pulse 96 Un
RDS (ON), max @ VGS =10V 99 MΩ
Qg 66,6 NC

Marquage des informations

 
Nom du produit Paquet Le marquage
OSG65R099HSZAF D247 OSG65R099HSZA


L'HTRB test a été effectué à 600V plus stricte que l'AEC-Q101 Rev. C (80 % V (Br)DSS ). Tous les autres tests ont été effectués conformément à l'AEC Q101 rev. E.
 
Cotes de maximum absolu Tj =25°C sauf indication contraire
 
Le paramètre Symbole Valeur Unité
Tension de source de vidange VDS 650 V
Gate-source de tension VGS ±30 V
Courant de vidange en continu 1) , TC =25 °C
ID 		32
Un
Courant de vidange en continu 1) , TC =100 °C 20
Vidanger le courant pulsé 2) , TC =25 °C ID , pulse 96 Un
Diode de l'avant de courant continu 1) , TC =25 °C Est 32 Un
Courant pulsé de diode 2) , TC =25 °C N'EST , de pouls 96 Un
  La dissipation de puissance 3)   , TC =25   °C PD 278 W
L'énergie pulsée unique avalanche 5) La fonction EAS 648 MJ
Le MOSFET de robustesse dv/dt, VDS =0…480 V Dv/dt 50 V/ns
Diode de marche arrière dv/dt, VDS =0…480 V, ISD ≤ID Dv/dt 50 V/ns
Fonctionnement et la température de stockage Tstg , TJ -55 à 150 °C

Les caractéristiques thermiques
 
Le paramètre Symbole Valeur Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction RθJC 0,45 °C/W
Résistance thermique, jonction ambiant 4) RθJA 62 °C/W

Caractéristiques électriques à Tj =25°C sauf indication contraire
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Tension de rupture de source de vidange BVDSS 650     V VGS =0 V, ID =1 mA
Tension de seuil de porte VGS (th) 3.0   4.5 V VDS =VGS , ID =1 mA

Drain-source sur- résistance de l'état
RDS (ON) 		  0,090 0,099
Ω 		VGS =10 V, ID =16 A
  0,21   VGS =10 V, ID =16 A, Tj =150 °C
Porte-source courant de fuite
IGSS 		    100
NA 		VGS =30 V
    -100 VGS =-30 V
Source de courant de fuite de vidange Les IDS     10 Μa VDS =650 V, VGS =0 V
Résistance de la porte RG   7.8   Ω Ƒ=1 MHz, drain ouvert

Les caractéristiques dynamiques
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Capacité d'entrée Ciss   3988   PF
VGS =0 V, VDS =50 V,
Ƒ=100 kHz
Capacité de sortie Coss   210   PF
Transfert inverse de la capacité Sir   7.4   PF
Capacité de sortie efficace, l'énergie liées Co (er)   124   PF
VGS =0 V, VDS =0 V-400 V
Capacité de sortie efficace, l'heure liées Co (tr)   585   PF
Temps de retard de mise sous tension Td (le)   46.0   Ns
VGS =10 V, VDS =400 V, RG = 2 Ω, ID =20 A
Le temps de montée Tr   60,3   Ns
Désactiver le temps de retard Td (arrêt)   93,0   Ns
Temps de chute Tf   3.7   Ns

Caractéristiques de charge de la porte
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Total des frais de porte Qg   66,6   NC

VGS =10 V, VDS =400 V, ID =20 A
Porte- charge source Qgs   20.6   NC
Gate- frais de vidange Qgd   24,8   NC
Plateau de la porte de la tension Vplateau   6.7   V

Caractéristiques de la diode du corps
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Diode de la tension de marche avant VSD     1.3 V Est de =32 A, VGS =0 V
Le temps de récupération de marche arrière Les DRT   151,7   Ns
Est de =20 A,
Di/dt = 100 A/μs
Frais de récupération de marche arrière Qrr   1.0   ΜC
Pic de courant de récupération de marche arrière Irrm   12.3   Un

Remarque :
  1. Courant continu calculée basée sur la jonction de la température maximale admissible.
  2. Cote de largeur d'impulsions répétitives; limitée par la température de jonction max..
  3. Pd est basée sur la température de jonction max., en utilisant junction- résistance thermique de cas.
  4. La DMV =100 V, VGS =10 V, L=80 mH, démarrage Tj =25 °C.
 
Qualified Osg65r099hszaf To247 Vds 650V RDS99mΩ Fast Recovery Diode Mosfet
Qualified Osg65r099hszaf To247 Vds 650V RDS99mΩ Fast Recovery Diode Mosfet Qualified Osg65r099hszaf To247 Vds 650V RDS99mΩ Fast Recovery Diode Mosfet Qualified Osg65r099hszaf To247 Vds 650V RDS99mΩ Fast Recovery Diode Mosfet Qualified Osg65r099hszaf To247 Vds 650V RDS99mΩ Fast Recovery Diode Mosfet Qualified Osg65r099hszaf To247 Vds 650V RDS99mΩ Fast Recovery Diode Mosfet
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