AOD4185 MOSFET P-CH 40V 40A TO252

No. de Modelo.
AOD4185
paquete
TO-252
calidad
original nuevo
D/C
22+
MFG.
AOS
Paquete de Transporte
Box
Origen
China
Código del HS
8542390000
Capacidad de Producción
1000000PCS
Precio de referencia
$ 0.05 - 180.00
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Descripción de Producto

Descripción

AOD4185:  Canal P 40 V 40A (TC) 2,5W (ta), 62,5W (TC) montaje superficial TO-252 (DPAK)

MFR. Nº de pieza: AOD4185

MFR.: AOS

Hoja de datos:  AOD4185 MOSFET P-CH 40V 40A TO252(Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE ROHS:  AOD4185 MOSFET P-CH 40V 40A TO252

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO
 

 

Estado del producto
Activo
 
Tipo de FET
Canal P.
 
Tecnología
MOSFET (óxido metálico)
 
Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
 
Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
40A (TC)
 
Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
4,5V, 10V
 
RDS activado (máx.) @ ID, VGS
15mOhm @ 20A, 10V
 
VGS(TH) (Máx.) @ ID
3V a 250µA
 
Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
55 NC a 10 V.
 
VGS (máx.)
±20V
 
Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
2550 pF a 20 V.
 
Función FET
-
 
Disipación de potencia (máx.)
2,5W (ta), 62,5W (TC)
 
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
 
Tipo de montaje
Montaje superficial
 
Paquete de dispositivo de proveedor
TO-252 (DPAK)
 
Paquete / caja
TO-252-3, DPAK (2 derivaciones + lengüeta), SC-63
 
Número de producto base
AOD418




El AOD4185/AOI4185 utiliza tecnología avanzada de trincheras para proporcionar excelente RDS(ON) y carga de compuerta baja. Con la excelente resistencia térmica del encapsulado DPAK/IPAK, este dispositivo es adecuado para aplicaciones de alta corriente. -compatible con RoHS -libre de halógenos







AOD4185 MOSFET P-CH 40V 40A TO252


AOD4185 MOSFET P-CH 40V 40A TO252


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