MOSFET discreto di potere di 2A 600V SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D

Model No.
SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D
colore
nero
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
AC 85-265V
Marchio
Silan
Origine
China
Codice SA
8541290000
Prezzo di riferimento
$ 0.03 - 0.14
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Descrizione del Prodotto

- Strato di dati
 

* Descrizione generale

alimentare il transistore di effetto del giacimento del MOS che è Prodotto using SilanSVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D è Una tecnologia riservata della struttura VDMOS della F-Cella di modo di aumento del N-channel

La cella planare migliore della banda ed il terminale migliore dell'anello di protezione sono stati adattati particolarmente per minimizzare la resistenza della su-condizione, fornire la prestazione superiore di commutazione e sostenere l'impulso dell'alta energia in valanga e nelle unità ModeThese di commutazione essere ampiamente usato nei fornitori di potere di AC-DC, nei convertitori di DC-DC e nei driver del motore del H-ponticello PWM


* Caratteristiche

1. 2A, 600V, RDS (sopra) (typ. ) =3.7@VGS=10V
2. Crss basso
3. Commutazione veloce
4. Carica bassa del cancello 


 

 
* Disegno schematico tipico di applicazione

2A 600V SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D Power Discrete MOSFET
2A 600V SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D Power Discrete MOSFET








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Note

* Le maschere sono catturate dalla macchina fotografica
* Potete metterseli in contatto con per un migliore prezzo
* Ritenere libero di metterseli in contatto con se abbiate voluto vedere altri modelli

2A 600V SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D Power Discrete MOSFET



2A 600V SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D Power Discrete MOSFET

 

Circuito integrato

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