MOSFET discreto dell'unità di potere del Mosfet SVF4N65F di 4A 650V

Model No.
SVR4N65T/F/M/MJ/D/K
colore
nero
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
AC 85-265V
Marchio
Silan
Origine
China
Codice SA
8542399000
Prezzo di riferimento
$ 0.03 - 0.14
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Descrizione del Prodotto

- Strato di dati
 

* Descrizione generale

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K è Un transistore di effetto del giacimento del MOS di potere di modo di aumento del N-channel che è Prodotto using la tecnologia riservata della struttura VDMOS della F-Cella di Silan

Il celltm planare migliore della banda ed il terminale migliore dell'anello di protezione sono stati adattati particolarmente per minimizzare la resistenza della su-condizione, per fornire la prestazione superiore di commutazione e per sostenere l'impulso dell'alta energia nel modo di commutazione e della valanga

Queste unità Sono ampiamente usate nei fornitori di potere di AC-DC, nei convertitori di DC-DC e nei driver del motore del H-ponticello PWM



* Caratteristiche

1.   4A, 650V, carica del cancello di RDS (sopra) (typ. ) =2.3@VGS=10VLow
2. Crss basso
3. Commutazione veloce
4. Possibilità Migliore di dv/dt


 


* Disegno schematico tipico di applicazione


4A 650V Mosfet SVF4N65F Power Discrete Device MOSFET
4A 650V Mosfet SVF4N65F Power Discrete Device MOSFET





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4A 650V Mosfet SVF4N65F Power Discrete Device MOSFET



Note

* Le maschere sono catturate dalla macchina fotografica
* Potete metterseli in contatto con per un migliore prezzo
* Ritenere libero di metterseli in contatto con se abbiate voluto vedere altri modelli
4A 650V Mosfet SVF4N65F Power Discrete Device MOSFET

 

Circuito integrato

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