Transistor bipolare Trident-Gate per uso automobilistico Ost40n120hmf 1200 V DC-1 kHz (standard) discreto IGBT per uso automobilistico in un contenitore to-247AC

Model No.
OST40N120HMF TO-247N
Modello
Orientalsemi
Numero di lotto
2023
Marca
Orientalsemi
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
35.3x30x37.5/60x23x13
Marchio
Orientalsemi
Origine
China
Codice SA
8541290000
Capacità di Produzione
Over 1kk/Month
Prezzo di riferimento
$ 0.09 - 0.54
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Descrizione del Prodotto

Descrizione generale
OST40N120HMF utilizza la tecnologia avanzata TGBTTM (Trident-Gate Bipolar transistor) brevettata da Oriental-semi per fornire un VCE (sat) estremamente basso, una bassa carica di gate e eccellenti prestazioni di commutazione. Questo dispositivo è adatto per convertitori di frequenza di commutazione di gamma media-alta.

Caratteristiche
  • Tecnologia TGBTTM avanzata
  • Eccellente conduzione e perdita di commutazione
  • Stabilità e uniformità eccellenti
  • Diodo antiparallelo rapido e morbido

Applicazioni
  • Convertitori a induzione
  • Gruppi di continuità


Parametri chiave delle prestazioni

 
Parametro Valore Unità
VCES , min @ 25°C. 1200 V
Temperatura massima di giunzione 175 °C
IC , impulso 160 R
VCE (sat), tip . @ VGE =15V 1.45 V
QG 214 NC

Informazioni di contrassegno

 
Nome prodotto Pacchetto Marcatura
OST40N120HMF TO247 OST40N120HM

 
Valori nominali massimi assoluti a Tvj =25°C, salvo diversa indicazione
 
Parametro Simbolo Valore Unità
Tensione emettitore collettore VCES 1200 V
Tensione emettitore gate
VGES 		±20 V
Tensione emettitore gate transiente, TP ≤0.5µs, D<0.001 ±25 V
Corrente collettore continuo 1 ) , TC =25ºC
IC 		56 R
Corrente collettore continuo 1 ) , TC =100ºC 40 R
Collettore a impulsi current2 ) , TC =25ºC IC , impulso 160 R
Corrente di avanzamento diodo 1 ) , TC =25ºC
SE 		56 R
Corrente di avanzamento diodo 1 ) , TC =100ºC 40 R
Diodo a impulsi current2 ) , TC =25ºC SE , pulsare 160 R
Dissidente di alimentazione3 ) , TC =25ºC
PD 		357 W
Dissidente di alimentazione3 ) , TC =100ºC 179 W
Temperatura di funzionamento e di stoccaggio Tstg , Tvj da -55 a 175 °C
Tempo di resistenza ai cortocircuiti VGE =15 V, VCC ≤600 V.
Numero consentito di cortocircuiti <1000 tempo tra i cortocircuiti: ≥ 1.0 S.
Tvj =150 °C.

TSC

10

μs

Caratteristiche termiche
Parametro Simbolo Valore Unità
Resistenza termica IGBT, scatola di giunzione RθJC 0.42 °C/W
Resistenza termica del diodo , scatola di giunzione RθJC 0.75 °C/W
Resistenza termica , ambiente di giunzione 4 ) RθJA 40 °C/W
 

Caratteristiche elettriche a Tvj =25°C, salvo diversamente specificato
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tensione di scarica distruttiva collettore-emettitore V (BR)CES 1200     V VGE =0 V, IC =0.5 MA


Tensione di saturazione collettore-emettitore


VCE (sat) 		  1.45 1.8 V VGE =15 V, IC =40 A TVJ =25°C.
  1.65   V VGE =15 V, IC =40 A, TVJ =125°C.
  1.8     VGE =15 V, IC =40 A, TVJ =175°C.
Gate -emettitore
tensione di soglia 		VGE (th) 4.8 5.8 6.8 V VCE =VGE , ID =0.5 MA


Tensione di avanzamento diodo


VF 		  1.9 2.1 V VGE =0 V, IF =40 A TVJ =25°C.
  1.6     VGE =0 V, IF =40 A, TVJ =125°C.
  1.5     VGE =0 V, IF =40 A, TVJ =175°C.
Gate -emettitore
corrente di dispersione 		IGES     100 Na VCE =0 V, VGE =20 V.
Corrente collettore tensione gate zero CIEM     10 μA VCE =1200 V, VGE =0 V.
 

Caratteristiche dinamiche
 
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Capacità di ingresso CIS   11270   PF
VGE =0 V, VCE =25 V,
ƒ=100 kHz
Capacità di uscita Coes   242   PF
Capacità di trasferimento inversa Cres   10   PF
Tempo di ritardo di attivazione td (on)   120   n/s


VGE =15 V, VCC =600 V, RG =10 Ω, IC =40 A.
Tempo di salita tr   88   n/s
Ritardo di disattivazione td (off)   246   n/s
Tempo di caduta tf   160   n/s
Accendere l'energia EON   3.14   MJ
Spegnere l'energia Eoff   1.02   MJ
Tempo di ritardo di attivazione td (on)   112   n/s


VGE =15 V, VCC =600 V, RG =10 Ω, IC =20 A.
Tempo di salita tr   51   n/s
Ritardo di disattivazione td (off)   284   n/s
Tempo di caduta tf   148   n/s
Accendere l'energia EON   1.32   MJ
Spegnere l'energia Eoff   0.53   MJ

Caratteristiche di carica del gate
 
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Costo totale gate QG   214   NC
VGE =15 V, VCC =960 V, IC =40 A.
Carica gate-emettitore QGE   103   NC
Carica gate-collector QG   40   NC

Caratteristiche del diodo corpo
 
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tempo di recupero inverso del diodo trr   293   n/s VR =600 V , IF =40 A,
DIF /dt=500 A/μs Tvj = 25°C.
Carica di recupero inversa diodo Qr   2.7   μC
Corrente di recupero inversa di picco del diodo Irrm   25   R

Nota
  1. Corrente continua calcolata in base alla temperatura di giunzione massima consentita.
  2. Valore nominale ripetitivo; larghezza impulso limitata dalla temperatura massima di giunzione.
  3. PD si basa sulla temperatura di giunzione massima, utilizzando la resistenza termica del contenitore di giunzione.
  4. Il valore di RθJA viene misurato con il dispositivo montato su una scheda FR-4 1 in2 da 2oz. Rame, in ambiente tranquillo con Ta =25°C.
 
Versione 1: Dimensione del contorno del contenitore TO247-P.


Informazioni per l'ordinazione
 
Tipo di pacchetto Unità/tubo Provette/ scatola interna Unità/ scatola interna Scatole interne/scatola in cartone Unità/ scatola in cartone
TO247- P. 30 11 330 6 1980

Informazioni sul prodotto
 
Prodotto Pacchetto Senza piombo RoHS Senza alogeni
OST40N120HMF TO247 sì sì sì


Esclusione di responsabilità legale
Le informazioni contenute nel presente documento non sono in alcun caso considerate come garanzia di condizioni o caratteristiche. Per quanto riguarda qualsiasi esempio o suggerimento fornito nel presente documento, qualsiasi valore tipico dichiarato nel presente documento e/o qualsiasi informazione relativa all'applicazione del dispositivo, Oriental Semiconductor declina qualsiasi garanzia e responsabilità di qualsiasi tipo, incluse, senza limitazione, le garanzie di non violazione dei diritti di proprietà intellettuale di terze parti.

Catena di fornitura Trident-Gate Bipolar Transistor Automotive Ost40n120hmf 1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT in a to-247AC Package



Dichiarazione di prodotto verde

Trident-Gate Bipolar Transistor Automotive Ost40n120hmf 1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT in a to-247AC Package
Trident-Gate Bipolar Transistor Automotive Ost40n120hmf 1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT in a to-247AC Package Trident-Gate Bipolar Transistor Automotive Ost40n120hmf 1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT in a to-247AC Package

 

Semiconduttore

PNEUTEC.IT, 2023