MOSFET discreto dell'unità di potere di 7A 650V SVF7N65T/F/K/S

Model No.
SVF7N65T/F/K/S
colore
nero
Pacchetto di Trasporto
Carton
Specifiche
AC 85-265V
Marchio
Silan
Origine
China
Codice SA
8541290000
Prezzo di riferimento
$ 0.03 - 0.14
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Descrizione del Prodotto

- Strato di dati
 

* Descrizione generale

SVF7N65T/F/K/S è Un transistore di effetto del giacimento del MOS di potere di modo di aumento del N-channel che è Prodotto using la tecnologia riservata della struttura VDMOS di Silan F-CellTM

La cella planare migliore della banda ed il terminale migliore dell'anello di protezione sono stati adattati particolarmente per minimizzare la resistenza della su-condizione, per fornire la prestazione superiore di commutazione e per sostenere l'impulso dell'alta energia nel modo di commutazione e della valanga

Queste unità Sono ampiamente usate nei fornitori di potere di AC-DC, nei convertitori di DC-DC e nei driver del motore del H-ponticello PWM



* Caratteristiche

1.   7A, 650V, carica bassa del cancello di RDS (sopra) (typ. ) =1.1@VGS=10V
2. Crss basso
3. Commutazione veloce
4. Possibilità Migliore di dv/dt


 

 
* Disegno schematico tipico di applicazione


7A 650V SVF7N65T/F/K/S Power Discrete Device MOSFET

7A 650V SVF7N65T/F/K/S Power Discrete Device MOSFET







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* una garanzia da 1 anno
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Note

* Le maschere sono catturate dalla macchina fotografica
* Potete metterseli in contatto con per un migliore prezzo
* Ritenere libero di metterseli in contatto con se abbiate voluto vedere altri modelli

7A 650V SVF7N65T/F/K/S Power Discrete Device MOSFET



7A 650V SVF7N65T/F/K/S Power Discrete Device MOSFET

 

Circuito integrato

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