Applicazioni automobilistiche Ost40n120hmf 10µ S tolleranza di cortocircuito 1200 V c.c.-1 kHz (Standard) IGBT per uso automobilistico discreto

Model No.
OST40N120HMF TO-247N
Modello
PC817
Numero di lotto
2010+
Marca
Orimental
applicazioni
alimentazione pc
settori
illuminazione a led
caratteristiche
stabilità e uniformità eccellenti
descrizione
perdita di commutazione estremamente bassa
Pacchetto di Trasporto
Air
Marchio
Orientalsemiconductor
Origine
China
Codice SA
854129000
Capacità di Produzione
20kkkk/Monthly
Prezzo di riferimento
$ 4.54 - 5.04
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Descrizione del Prodotto

Descrizione generale
Il MOSFET ad alta tensione GreenMOS® utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per ottenere una resistenza all'accensione eccezionale e una carica di gate ridotta. È progettato per ridurre al minimo le perdite di conduzione, fornire prestazioni di commutazione superiori e una robusta capacità a valanga.
La serie Z GreenMOS® è integrata con il diodo a recupero rapido (FRD) per ridurre al minimo il tempo di recupero inverso. È adatto per topologie di commutazione risonanti per raggiungere una maggiore efficienza, una maggiore affidabilità e un fattore di forma più piccolo.

Caratteristiche
  • RDS( ON) E FOM BASSI
  • Perdita di commutazione estremamente bassa
  • Stabilità e uniformità eccellenti
  • Diodo corpo ultra-veloce e robusto

Applicazioni                                                                                             
  • Alimentazione PC
  • Potenza per le telecomunicazioni
  • Alimentazione del server
  • Caricabatteria EV
  • Driver motore
Automotive Applications Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit Tolerance 1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT

Parametri chiave delle prestazioni
 
Parametro Valore Unità
VDS , min @ Tj (max) 650 V
ID , polso 240 R
RDS (ON), MAX @ VGS =10V 30 MΩ
QG 178 NC

Informazioni di contrassegno
 
Nome prodotto Pacchetto Marcatura
OSG60R030HZF TO247 OSG60R030HZ
Valori nominali massimi assoluti a Tj =25°C, salvo diversa indicazione
 
Parametro Simbolo Valore Unità
Tensione drain-source VDS 600 V
Tensione gate-source VGS ±30 V
Corrente di scarico continuo 1 ) , TC =25 °C.
ID 		80
R
Corrente di scarico continuo 1 ) , TC =100 °C. 50
Corrente di scarico pulsata2 ) , TC =25 °C. ID , polso 240 R
Corrente continua di diodo in avanti 1 ) , TC =25 °C. È 80 R
Diodo a impulsi current2 ) , TC =25 °C. È , impulso 240 R
Dissidenza di alimentazione3 ) , TC =25 °C. PD 480 W
Energia a valanghe pulsata5 ) EAS 2500 MJ
Resistenza dv/dt MOSFET, VDS =0…480 V. dv/dt 50 V/ns
Diodo retromarcia dv/dt, VDS =0…480 V, ISD ≤ID dv/dt 50 V/ns
Temperatura di funzionamento e di stoccaggio Tstg , Tj da -55 a 150 °C

Caratteristiche termiche
 
Parametro Simbolo Valore Unità
Resistenza termica , scatola di giunzione RθJC 0.26 °C/W
Resistenza termica , ambiente di giunzione 4 ) RθJA 62 °C/W

Caratteristiche elettriche a Tj =25°C, salvo diversamente specificato
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tensione di scarica-sorgente di scarica BVDSS 600     V VGS =0 V, ID =1 MA
Tensione di soglia gate VGS (th) 3.0   4.5 V VDS =VGS , ID =2 MA,

Scarico -sorgente
resistenza in stato attivo
RDS (ON) 		  0.028 0.030
Ω 		VGS =10 V, ID =40 A.
  0.058   VGS =10 V, ID =40 A, TJ =150 °C.
Corrente di dispersione gate-source
IGS 		    100
Na 		VGS =30 V.
    -100 VGS =-30 V.
Corrente di dispersione drain-source IDS     10 μA VDS =600 V, VGS =0 V.
Resistenza del gate RG   2.1   Ω ƒ=1 MHz, open drain


Caratteristiche dinamiche
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Capacità di ingresso CISS   9343   PF
VGS =0 V, VDS =50 V, ƒ=100 KHz
Capacità di uscita COSS   708   PF
Capacità di trasferimento inversa CRS   15   PF
Capacità di uscita effettiva, relativa all'energia Co (er)   345   PF
VGS =0 V, VDS =0 V-400 V.
Capacità di uscita effettiva, relativa al tempo Co (tr)   1913   PF
Tempo di ritardo di attivazione td (on)   52.1   n/s
VGS =10 V, VDS =400 V, RG =2 Ω, ID =40 A.
Tempo di salita tr   105.2   n/s
Ritardo di disattivazione td (off)   125.7   n/s
Tempo di caduta tf   4.1   n/s

Caratteristiche di carica del gate
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Costo totale gate QG   177.9   NC

VGS =10 V, VDS =400 V, ID =40 A.
Carica gate-source DGS   37.4   NC
Carica gate-drain QGD   78.4   NC
Tensione plateau gate Vplateau   6.2   V

Caratteristiche del diodo corpo
Parametro Simbolo Min. Tip. Max. Unità Condizione di prova
Tensione di avanzamento diodo VSD     1.4 V IS =80 A, VGS =0 V.
Tempo di recupero inverso trr   186.6   n/s
IS =40 A,
Di/dt=100 A/μs
Carica di recupero inversa Qr   1.6   μC
Corrente di recupero inversa di picco Irrm   15.4   R

Nota
  1. Corrente continua calcolata in base alla temperatura di giunzione massima consentita.
  2. Valore nominale ripetitivo; larghezza impulso limitata dalla temperatura massima di giunzione.
  3. PD si basa sulla temperatura di giunzione massima, utilizzando la resistenza termica del contenitore di giunzione.
  4. VDD =100 V, VGS =10 V, L=80 MH, Tj iniziale =25 °C.
Automotive Applications Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit Tolerance 1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT Automotive Applications Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit Tolerance 1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT Automotive Applications Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit Tolerance 1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT 1. Che servizio avete?

Siamo fornitori e produttori di mosfet di potenza originale e semiconduttori IGBT, potremmo fornire prezzi competitivi e ci si aspetta una consegna rapida e di buona qualità con un servizio tempestivo, abbiamo il nostro team di R&D e Engineer per garantire di offrire il miglior servizio ai clienti per un supporto sostenibile .  
 
2. Posso avere alcuni campioni da analizzare?

Offriamo campioni gratuiti per i nostri clienti e devono pagare solo il trasporto dei campioni.

3. E la consegna ?

Di solito il tempo di consegna è di circa 1-4  settimane dopo la ricezione del pagamento. Per i ricambi di produzione normale, comunicateci con tre mesi di anticipo come piano di approvvigionamento globale , avremmo la quantità in magazzino tutto l'anno
4. Cosa ne sono dei termini di pagamento ?

Questo può essere discusso in base alla situazione effettiva dell'ordine.  
 
5. E le condizioni di spedizione ?

EXW SHANGHAI ; lavoriamo anche con DHL, FEDEX, TNT e così via per grandi quantità, spetta ai clienti scegliere il spedizioniere, il nostro possiamo offrire il servizio per assistere i clienti   

6. Avete requisiti minimi per la quantità di ordine?

In base ai diversi prodotti, per il primo ordine di prova da testare, possiamo offrire la quantità in base alla richiesta dei clienti,  per ordini ripetuti, MOQ si basa sulla quantità minima di confezionamento.  
 
 

 

Semiconduttore

PNEUTEC.IT, 2023