7mbr50u4p120-50 IGBT transistor bipolare con gate isolato a parte e modulo isolato, alimentatore, apparecchiature mediche, saldatrice, elettrodomestici

Il transistore IGBT (Insulated Gate Bipolar transistor), transistor bipolare a gate isolata, è un dispositivo a semiconduttore di potenza composito a tensione controllata completamente composto da BJT (transistor bipolare) e MOS (transistor a effetto di campo con gate isolata), sia l'alta impedenza di ingresso del MOSFET che la bassa caduta di tensione di ON del GTR presentano due vantaggi. La tensione di saturazione di GTR è ridotta, la densità di conduzione della corrente è elevata, ma la corrente di pilotaggio è grande; la potenza di pilotaggio del MOSFET è piccola, la velocità di commutazione è veloce, ma la caduta di tensione di conduzione è grande e la densità di conduzione della corrente è piccola. IGBT combina i vantaggi dei due dispositivi sopra citati, con una bassa potenza di pilotaggio e una ridotta tensione di saturazione. Qual è il ruolo dell'igbt: È molto adatto
Applicazione nei settori dei motori CA, dei convertitori di frequenza, degli alimentatori switching, dei circuiti di illuminazione, dei motori di trazione e di altri campi con una tensione CC di 600 V e superiore. Principio di funzionamento IGBT: IGBT è una naturale evoluzione dei MOSFET di potenza verticali utilizzati in applicazioni ad alta corrente, alta tensione e apparecchiature terminali veloci. Poiché la realizzazione di una tensione di breakdown BVDSS più elevata richiede un canale source-drain, e questo canale ha una resistività elevata, il MOSFET di potenza ha la caratteristica di un valore RDS(ON) elevato. L'IGBT elimina queste caratteristiche del MOSFET di potenza esistente. Lo svantaggio principale. Sebbene l'ultima generazione di dispositivi MOSFET di potenza abbia notevolmente migliorato le caratteristiche RDS(ON), ad alti livelli, la perdita di conduzione di potenza è ancora molto più alta di quella della tecnologia IGBT. La caduta di tensione più bassa, la capacità di conversione in un VCE basso (sat), e la struttura dell'IGBT, rispetto ad un dispositivo bipolare standard, possono supportare una maggiore densità di corrente e semplificare lo schema del driver IGBT.    
 

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